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端接電阻沒選對,DDR顆粒白費(fèi)?

發(fā)布時(shí)間:2024-03-04 14:10

高速先生成員--姜杰


端接可以解決很多反射問題,如果還有問題,有沒有一種可能是端接電阻阻值沒選對?


  

對于點(diǎn)到點(diǎn)的拓?fù)?,末端并?lián)電阻的阻值比較容易選擇,端接電阻阻值R與傳輸線特征阻抗一樣即可。

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VTT為1V時(shí),端接電阻R分別取30ohm,50ohm,70ohm的接收端電壓如下圖:

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可以發(fā)現(xiàn),R與傳輸線特征阻抗同樣都是50ohm時(shí),接收端信號基本沒有反射。原因是接收器輸入阻抗通常很高,從信號的角度看,傳輸?shù)侥┒说男盘柛惺艿淖杩咕褪嵌私与娮璧淖柚?,R與傳輸線特征阻抗的匹配消除了阻抗突變引起的反射。


不幸的是,目前的絕大多數(shù)DDR的地址控制信號都是一驅(qū)多的拓?fù)?,于是,問題開始變的復(fù)雜。


明明DDR的數(shù)據(jù)信號速率更高,為啥要更關(guān)注DDR的地址控制信號?數(shù)據(jù)信號一般都是點(diǎn)到點(diǎn)的拓?fù)?,而且大多有片上端接(ODT),走線拓?fù)浜唵渭由隙私蛹映郑盘栙|(zhì)量通常都比較有保障。而DDR的地址控制類信號的設(shè)計(jì)難度在于其拓?fù)涞膹?fù)雜性,一驅(qū)多的走線拓?fù)鋵π盘栙|(zhì)量的影響太大,即便速率相比數(shù)據(jù)信號減半。

 

為了讓大家對端接電阻的作用感受更加明顯,我們選擇了一個(gè)難度較大的案例:一驅(qū)九的DDR4地址信號,速率1600Mbps。

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由于反射更容易在近端顆粒DRAM1/DRAM2處積累,該處的信號質(zhì)量更容易成為瓶頸。


方便對比,先看看不加端接的近端DRAM1信號。

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和預(yù)料的一樣,波形是雜亂的,眼圖是閉合的。


再來看看按照原設(shè)計(jì)的39ohm端接電阻,近端顆粒信號質(zhì)量有什么變化。

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顯而易見,波形質(zhì)量有了較大改善,眼睛也睜開了。但還是會有部分波形落在閾值電平(VIH:690mV;VIL:510mV)的區(qū)間內(nèi),這種情況下的時(shí)序大概率是Fail的。

下面掃描三種端接電阻阻值:25ohm,39ohm和51ohm,近端顆粒信號的波形對比如下:

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可以發(fā)現(xiàn),按照這三種阻值的從大變小,信號質(zhì)量是逐漸改善的。


 

對眼圖的睜開程度進(jìn)行對比,這種趨勢會看的更加明顯。

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為了能看的更清楚,將三個(gè)眼圖在時(shí)間軸上展開進(jìn)行對比。

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以閾值電平(VIH:690mV;VIL:510mV)作為判決標(biāo)準(zhǔn),25ohm端接電阻的眼圖可以滿足要求,另外兩個(gè)則不達(dá)標(biāo)。

當(dāng)然了,這是個(gè)多負(fù)載的拓?fù)?,其它DDR上的信號也需要關(guān)注。通過對比,高速先生發(fā)現(xiàn)了一個(gè)有趣的現(xiàn)象,同樣的阻值變化,遠(yuǎn)端顆粒DRAM9上的信號質(zhì)量變化與近端顆粒正好相反。

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好在遠(yuǎn)端DDR由于更靠近端接電阻,信號裕量更大,因此可以“損有余而補(bǔ)不足”,即便選擇遠(yuǎn)端波形最差的25ohm,眼圖也是可以滿足閾值電平要求的。

那是不是所有的一驅(qū)多DDR地址控制信號,隨著端接電阻阻值變化都有相同的趨勢呢?僅通過這一個(gè)案例,高速先生也無法給出一般性的結(jié)論。唯一可以肯定的是:前途是光明的,道路是曲折的,阻值是不確定的。拓?fù)湓綇?fù)雜,速率越高,就越有必要通過仿真確定最優(yōu)端接電阻阻值。


問題來了

大家知道的優(yōu)化DDR地址控制信號質(zhì)量的方法都有哪些?